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光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序:
一、清洗硅片(Wafer Clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷,提高光刻胶黏附性
基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例Goldfinger Mach2清洗系统)、美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304 DSS清洗系统)、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。
NR77-5000PYPR1-2000A1 试验操作流程
PR1-2000A1的厚度范围可以做到 1500到3500nm,如下以膜厚2900nm为列;
1,静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度;
2,前烘:热板120度120秒;
3,冷却至室温;
4,NR7 6000P光刻胶厂家,用波长为365,406,436的波长曝光,
5,在温度为20-25度,NR7 6000P光刻胶,使用RD6浸泡式、喷雾、显影 ;
6,去除光刻胶,可使用CH3COCH3,NR7 6000P光刻胶哪里有,RR5,RR41等。
光刻胶编码
HS编码:
3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释]
中文描述:不含银的感光乳液剂 (CIQ码:301:液体)英文描述:Non--0--silver light-sensitive emulsion agent申报要素:0.品牌类型;1.出口享惠情况;2.用途;3.包装;4.成分;5.是否含银;6.品牌;7.型号;8.是否有感光作用(以下要素仅上海海关要求)9.GTIN;10.CAS申报要素举例:/ 1.感光剂;2.用途:感光材料,用于喷墨制版机;3.包装:瓶装;4.成分:重氮树脂94%以上;5.无品牌;6.无型号单位:千克 北京赛米莱德公司-NR7 6000P光刻胶由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司在半导体材料这一领域倾注了诸多的热忱和热情,赛米莱德一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场,衷心希望能与社会各界合作,共创成功,共创辉煌。相关业务欢迎垂询,联系人:苏经理。