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失效模式分析多层片式陶瓷电容器
失效模式分析
（1）在电场作用下，陶瓷电容器的击穿 破坏遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点破坏的根源。除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节。环氧包封陶瓷电容器由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，多层片式陶瓷电容器原理，劣化界面的粘结。在电场作用下，组成高压陶瓷电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变。当环氧包封层的残余应力较大时，片式多层陶瓷电容器的制备工艺，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平。
（2）介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，导致其耐压水平降低。
企业视频展播，请点击播放视频作者：四川华瓷科技有限公司Ⅱ类陶瓷。重庆陶瓷电容器多层片式陶瓷电容器Ⅱ类陶瓷
什么叫Ⅱ类陶瓷，有什么特点？Ⅱ类陶瓷电容器（ClassⅡceramiccapacitor）以往称之为为低頻陶瓷电容器（Lowfrequencyceramiccapacitor），指用铁电陶瓷作物质的电容器，重庆陶瓷电容器因而也称铁电陶瓷电容器。
这类电容器的电容量随温度呈离散系统转变，重庆陶瓷电容器耗损比较大，多层片式陶瓷电容器的分类，经常在电子产品中用以旁通，藕合或用以其他对耗损和电容量可靠性规定低的线路中。重庆陶瓷电容器在其中Ⅱ类陶瓷电容器又分成平稳级和可以用级。X5R，X7R归属于Ⅱ类陶瓷的平稳级，而Y5V和Z5U归属于可以用级。
陶瓷贴片电容
据调查，全世界生产制造的电容器中，80%是陶瓷贴片电容。一款手机上必须 使用到的电容器在300~400个上下，笔记本电脑和平板大概700~800个，这对电子产品的小型化，重庆陶瓷电容器轻量有非常大奉献。大家看来一下陶瓷贴片电容的结构，（如下图）这也是一款简单的平行面板陶瓷贴片电容器，重庆陶瓷电容器主要结构关键分为五个一部分，陶瓷物质，内电积，外电级，镍层，锡层。从结构上看来，这重庆陶瓷电容器款陶瓷贴片电容是双层叠合结构，多层片式陶瓷电容器，做到小型化，节约室内空间的实际效果，完成电源电路基材的密度高的拼装。
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