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?台湾ASEMI品牌低压降肖特基二极管SB30100LFCT
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台湾ASEMI品牌低压降肖特基二极管SB30100LFCT，其电性参数为30A，100V，封装为：ITO-220AB封装，芯片采用2个94MIL的俄罗斯进口Mikron芯片，产品本体采用的是镭射印字，不易退色；黑胶部分材质为进口环氧塑脂材料，包封稳定性强，其引脚采用的是进口的无氧铜材料，肖特基二极管正负，抗弯曲性强、高导电性好。
ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT编辑：L
ASEMI低压降肖特基二极管SB10100LFCT采用的是ITO-220AB全塑封装，SB10100LFCT采用进口俄罗斯米克朗56mil双芯片，高抗冲击性能与一致性能提升40%以上。保证其参数可以达到:10A为正向整流，100V为反向耐电压，150A峰值浪涌电流，0.54v正向压降以及20UA漏电流。这款封装很大优势在于绝缘性与阻燃性表现非常好。采用了环氧树脂封装材料，封装强度高保障内部芯片、焊片、框架，不氧化不碎裂不漏电。
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ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向恢复时间短，肖特基二极管常见型号，速度快，有效防止浪涌，低压降肖特基二极管，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：TO-220；电性参数正向电流为30A，南昌肖特基二极管，反向耐压为100V；正向峰值浪涌电流为200A，反向恢复时间：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.
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